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EnglishPhotoluminescence investigation of Si-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy on non-(100) oriented surfaces / Pavesi, Lorenzo; M., Henini. - In: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B: MICROELECTRONICS PROCESSING AND PHENOMENA. - ISSN 0734-211X. - STAMPA. - 28(1997), pp. 717-726.
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| Titolo: | Photoluminescence investigation of Si-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy on non-(100) oriented surfaces | |
| Autori: | Pavesi, Lorenzo; M., Henini | |
| Autori Unitn: | ||
| Titolo del periodico: | JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B: MICROELECTRONICS PROCESSING AND PHENOMENA | |
| Anno di pubblicazione: | 1997 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0345532711 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000071118000003 | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11572/25451 | |
| Appare nelle tipologie: | 03.1 Articolo su rivista (Journal article) |
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http://hdl.handle.net/11572/25451
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