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EnglishPhotoluminescence investigation of Si-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy on non-(100) oriented surfaces / L. Pavesi ; M. Henini. - In: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B: MICROELECTRONICS PROCESSING AND PHENOMENA. - ISSN 0734-211X. - STAMPA. - 28(1997), pp. 717-726.
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| Titolo: | Photoluminescence investigation of Si-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy on non-(100) oriented surfaces |
| Autori Unitn: | |
| Anno di pubblicazione: | 1997 |
| Titolo del periodico: | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11572/25451 |
| Appare nelle tipologie: | 03.1 Articolo su rivista (Journal article) |
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