Photoluminescence investigation of Si-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy on non-(100) oriented surfaces / Pavesi, Lorenzo; M., Henini. - In: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B: MICROELECTRONICS PROCESSING AND PHENOMENA. - ISSN 0734-211X. - STAMPA. - 28(1997), pp. 717-726.
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Titolo: | Photoluminescence investigation of Si-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy on non-(100) oriented surfaces |
Autori: | Pavesi, Lorenzo; M., Henini |
Autori Unitn: | |
Titolo del periodico: | JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B: MICROELECTRONICS PROCESSING AND PHENOMENA |
Anno di pubblicazione: | 1997 |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0345532711 |
Codice identificativo ISI: | WOS:000071118000003 |
Handle: | http://hdl.handle.net/11572/25451 |
Appare nelle tipologie: | 03.1 Articolo su rivista (Journal article) |
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