CINECA IRIS Institutional Research Information System
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EnglishThe electroluminescence (EL) at 1.54 um of metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors with Er3+ ions embedded in the silicon-rich silicon oxide (SRSO) layer has been investigated under different polarization conditions and compared with that of erbium doped SiO2 layers. EL time-resolved measurements allowed us to distinguish between two different excitation mechanisms responsible for the Er3+ emission. Energy transfer from silicon nanoclusters (Si-ncs) to Er3+ is clearly observed at low-field AC excitation and increases with driving frequency. We demonstrate that sequential electron and hole injection at the edges of the pulses create excited states in Si-ncs which upon recombination, transfer their energy to Er3+ ions. On the contrary, direct impact excitation of Er3+ by hot injected carriers starts at Fowler-Nordheim injection threshold (above 5 MV/cm) and dominates for larger fields.
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| Titolo: | Erbium emission in MOS light emitting devices: from energy transfer to direct impact excitation |
| Autori: | J. M., Ramírez; F., Ferrarese Lupi; O., Jambois; Y., Berencén; D., Navarro Urrios; Anopchenko, Oleksiy; Marconi, Alessandro; Prtljaga, Nikola; Tengattini, Andrea; Pavesi, Lorenzo; Jean Phillippe, Colonna; J. M., Fedeli; B., Garrido |
| Autori Unitn: | |
| Titolo del periodico: | NANOTECHNOLOGY |
| Anno di pubblicazione: | 2012 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84858378538 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000301662400003 |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1088/0957-4484/23/12/125203 |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11572/92458 |
| Appare nelle tipologie: | 03.1 Articolo su rivista (Journal article) |
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| File | Descrizione | Tipologia | Licenza | |
|---|---|---|---|---|
| 2012 Nanotech Er.pdf | articolo principale | Versione editoriale (Publisher’s layout) | Tutti i diritti riservati (All rights reserved) | Administrator |
http://hdl.handle.net/11572/92458
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