CINECA IRIS Institutional Research Information System
IRIS è l'Anagrafe della ricerca dell'Università degli Studi di Trento, e ha lo scopo di raccogliere, documentare, conservare e diffondere, anche ad accesso aperto, la produzione scientifica degli autori afferenti all'Università degli Studi di Trento.
EnglishThe effects of 30 keV N+ implantation in amorphous silicon carbide films deposited on silicon substrates by rf sputtering over a fluence range of 1 x 10(16)-2 x 10(17) ions cm-2, are studied by means of x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Auger electron spectroscopy (AES), and infrared (IR) absorption techniques. The ion-induced modifications of these films have been investigated on the basis of the chemical state evolution of Si, C, and N (using XPS and AES) and on the basis of the vibrational features of the films components (using IR absorption). The results show that implanted N bonds Si selectively, substituting the C atoms in the silicon carbide, and the C substitution by N results in a composite layer of carbonitrides and free C. An ion-induced C transport has also been observed and correlations are established between the formation of silicon carbonitrides and the dynamical behavior of the C in the implanted layer. the latter appears as a superposition of (a) a chemically induced atomic redistribution, required by local stoichiometry and space-filling possibilities in an amorphous network, and (b) a radiation-induced redistribution, a mechanism that is prevailing at low-fluence implantation.
Scheda prodotto non validato
I dati visualizzati non sono stati ancora sottoposti a validazione formale da parte dello Staff di IRIS, ma sono stati ugualmente trasmessi al Sito Docente Cineca (Loginmiur).
| Titolo: | Chemical and compositional changes induced by N+ implantation in amorphous SiC films | |
| Autori: | N., Laidani; Bonelli, Marco; Miotello, Antonio; L., Guzman; L., Calliari; M., Elena; R., Bertoncello; A., Glisenti; R., Capelletti; P., Ossi | |
| Autori Unitn: | ||
| Titolo del periodico: | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | |
| Anno di pubblicazione: | 1993 | |
| Numero e parte del fascicolo: | n. 3 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0001476656 | |
| Codice identificativo WOS: | WOS:A1993LQ12700087 | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1063/1.354764 | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11572/91753 | |
| Appare nelle tipologie: | 03.1 Articolo su rivista (Journal article) |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11572/91753
Copyright © 2022