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EnglishEffect of the annealing treatments on the electroluminescence efficiency of SiO2 layers doped with Si and Er / O., Jambois; J. M., Ramírez; Y., Berencén; D., Navarro Urrios; Anopchenko, Oleksiy; Marconi, Alessandro; Prtljaga, Nikola; A., Tengattini; P., Pellegrino; Daldosso, Nicola; Pavesi, Lorenzo; J. P., Colonna; J. M., Fedeli; B., Garrido. - In: JOURNAL OF PHYSICS. D, APPLIED PHYSICS. - ISSN 1361-6463. - STAMPA. - 45(2012), p. 045103.
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| Titolo: | Effect of the annealing treatments on the electroluminescence efficiency of SiO2 layers doped with Si and Er |
| Autori: | O., Jambois; J. M., Ramírez; Y., Berencén; D., Navarro Urrios; Anopchenko, Oleksiy; Marconi, Alessandro; Prtljaga, Nikola; A., Tengattini; P., Pellegrino; Daldosso, Nicola; Pavesi, Lorenzo; J. P., Colonna; J. M., Fedeli; B., Garrido |
| Autori Unitn: | |
| Titolo del periodico: | JOURNAL OF PHYSICS. D, APPLIED PHYSICS |
| Anno di pubblicazione: | 2012 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84855904492 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000299324700003 |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11572/90700 |
| Appare nelle tipologie: | 03.1 Articolo su rivista (Journal article) |
File in questo prodotto:
http://hdl.handle.net/11572/90700
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