Effect of the annealing treatments on the electroluminescence efficiency of SiO2 layers doped with Si and Er

Jambois, O.; Ramírez, J. M.; Berencén, Y.; Navarro Urrios, D.; Anopchenko, Oleksiy; Marconi, Alessandro; Prtljaga, Nikola; Tengattini, A.; Pellegrino, P.; Daldosso, Nicola; Pavesi, Lorenzo; Colonna, J. P.; Fedeli, J. M.; Garrido, B.

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Effect of the annealing treatments on the electroluminescence efficiency of SiO2 layers doped with Si and Er / O. Jambois; J.M Ramírez; Y. Berencén; D. Navarro-Urrios; A. Anopchenko; A. Marconi; N. Prtljaga; A. Tengattini; P. Pellegrino; N. Daldosso; L. Pavesi; J.-P. Colonna; J.-M. Fedeli; B. Garrido. - In: JOURNAL OF PHYSICS. D, APPLIED PHYSICS. - ISSN 1361-6463. - STAMPA. - 45(2012), p. 045103.

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Titolo:	Effect of the annealing treatments on the electroluminescence efficiency of SiO2 layers doped with Si and Er
Autori Unitn:	O. Jambois J. M. Ramírez Y. Berencén D. Navarro Urrios Anopchenko, Oleksiy Marconi, Alessandro Prtljaga, Nikola A. Tengattini P. Pellegrino Daldosso, Nicola Pavesi, Lorenzo J. P. Colonna J. M. Fedeli B. Garrido mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Anno di pubblicazione:	2012
Titolo del periodico:	JOURNAL OF PHYSICS. D, APPLIED PHYSICS
Handle:	http://hdl.handle.net/11572/90700
Appare nelle tipologie:	03.1 Articolo su rivista (Journal article)

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