Effect of the annealing treatments on the electroluminescence efficiency of SiO2 layers doped with Si and Er

Jambois, O.; Ramírez, J.M; Berencén, Y.; Navarro-Urrios, D.; Anopchenko, A.; Marconi, A.; Prtljaga, N.; Tengattini, A.; Pellegrino, P.; Daldosso, N.; Pavesi, L.; Colonna, J.-P.; Fedeli, J.-M.; Garrido, B.

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Effect of the annealing treatments on the electroluminescence efficiency of SiO2 layers doped with Si and Er / O. Jambois; J.M Ramírez; Y. Berencén; D. Navarro-Urrios; A. Anopchenko; A. Marconi; N. Prtljaga; A. Tengattini; P. Pellegrino; N. Daldosso; L. Pavesi; J.-P. Colonna; J.-M. Fedeli; B. Garrido. - In: JOURNAL OF PHYSICS. D, APPLIED PHYSICS. - ISSN 1361-6463. - STAMPA. - 45(2012), p. 045103.

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11572/90700

Titolo:	Effect of the annealing treatments on the electroluminescence efficiency of SiO2 layers doped with Si and Er
Autori Unitn:	Anopchenko, Oleksiy Marconi, Alessandro Prtljaga, Nikola Daldosso, Nicola Pavesi, Lorenzo
Anno di pubblicazione:	2012
Titolo del periodico:	JOURNAL OF PHYSICS. D, APPLIED PHYSICS
Handle:	http://hdl.handle.net/11572/90700
Appare nelle tipologie:	03.1 Articolo su rivista (Journal article)

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