Photoluminescence investigation of Si-doped GaAs grown by mo¬lecular beam epitaxy on non-(100) oriented surfaces / Pavesi, Lorenzo; M., Henini. - In: MICROELECTRONICS JOURNAL. - ISSN 0959-8324. - STAMPA. - 28:(1997), pp. 717-726.
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Titolo: | Photoluminescence investigation of Si-doped GaAs grown by mo¬lecular beam epitaxy on non-(100) oriented surfaces | |
Autori: | Pavesi, Lorenzo; M., Henini | |
Autori Unitn: | ||
Titolo del periodico: | MICROELECTRONICS JOURNAL | |
Anno di pubblicazione: | 1997 | |
Handle: | http://hdl.handle.net/11572/83599 | |
Appare nelle tipologie: | 03.1 Articolo su rivista (Journal article) |
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