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EnglishPhotoluminescence investigation of Si-doped GaAs grown by mo¬lecular beam epitaxy on non-(100) oriented surfaces / L. Pavesi; M. Henini. - In: MICROELECTRONICS JOURNAL. - ISSN 0959-8324. - STAMPA. - 28(1997), pp. 717-726.
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http://hdl.handle.net/11572/83599| Titolo: | Photoluminescence investigation of Si-doped GaAs grown by mo¬lecular beam epitaxy on non-(100) oriented surfaces |
| Autori Unitn: | Pavesi, Lorenzo |
| Anno di pubblicazione: | 1997 |
| Titolo del periodico: | MICROELECTRONICS JOURNAL |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11572/83599 |
| Appare nelle tipologie: | 03.1 Articolo su rivista (Journal article) |
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