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EnglishOrientation dependence of the Si doping of GaAs grown by molecular beam epitaxy / Pavesi, Lorenzo; F., Piazza; M., Hennini; I., Harrison. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - STAMPA. - 8(1993), pp. 167-171.
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| Titolo: | Orientation dependence of the Si doping of GaAs grown by molecular beam epitaxy |
| Autori: | Pavesi, Lorenzo; F., Piazza; M., Hennini; I., Harrison |
| Autori Unitn: | |
| Titolo del periodico: | SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY |
| Anno di pubblicazione: | 1993 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0027541788 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:A1993KN88200004 |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11572/83464 |
| Appare nelle tipologie: | 03.1 Articolo su rivista (Journal article) |
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http://hdl.handle.net/11572/83464
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