Orientation dependence of the Si doping of GaAs grown by molecular beam epitaxy / Pavesi, Lorenzo; F., Piazza; M., Hennini; I., Harrison. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - STAMPA. - 8:(1993), pp. 167-171.
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Titolo: | Orientation dependence of the Si doping of GaAs grown by molecular beam epitaxy | |
Autori: | Pavesi, Lorenzo; F., Piazza; M., Hennini; I., Harrison | |
Autori Unitn: | ||
Titolo del periodico: | SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | |
Anno di pubblicazione: | 1993 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0027541788 | |
Codice identificativo WOS: | WOS:A1993KN88200004 | |
Handle: | http://hdl.handle.net/11572/83464 | |
Appare nelle tipologie: | 03.1 Articolo su rivista (Journal article) |
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