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EnglishOrientation dependence of the Si doping of GaAs grown by molecular beam epitaxy / L. Pavesi; F. Piazza; M. Hennini; I. Harrison. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - STAMPA. - 8(1993), pp. 167-171.
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http://hdl.handle.net/11572/83464| Titolo: | Orientation dependence of the Si doping of GaAs grown by molecular beam epitaxy |
| Autori Unitn: | Pavesi, Lorenzo |
| Anno di pubblicazione: | 1993 |
| Titolo del periodico: | SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11572/83464 |
| Appare nelle tipologie: | 03.1 Articolo su rivista (Journal article) |
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