Orientation dependence of the Si doping of GaAs grown by molecular beam epitaxy

Pavesi, L.; Piazza, F.; Hennini, M.; Harrison, I.

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Orientation dependence of the Si doping of GaAs grown by molecular beam epitaxy / L. Pavesi; F. Piazza; M. Hennini; I. Harrison. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - STAMPA. - 8(1993), pp. 167-171.

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11572/83464

Titolo:	Orientation dependence of the Si doping of GaAs grown by molecular beam epitaxy
Autori Unitn:	Pavesi, Lorenzo
Anno di pubblicazione:	1993
Titolo del periodico:	SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
Handle:	http://hdl.handle.net/11572/83464
Appare nelle tipologie:	03.1 Articolo su rivista (Journal article)

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