High power efficiency in Si-nc/SiO2 multilayer light emitting devices by bipolar direct tunneling / Marconi, Alessandro; Anopchenko, Oleksiy; M., Wang; G., Pucker; P., Bellutti; Pavesi, Lorenzo. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - STAMPA. - Vol. 94:no. 22(2009), pp. 221110-221110-3.
Titolo: | High power efficiency in Si-nc/SiO2 multilayer light emitting devices by bipolar direct tunneling | |
Autori: | Marconi, Alessandro; Anopchenko, Oleksiy; M., Wang; G., Pucker; P., Bellutti; Pavesi, Lorenzo | |
Autori Unitn: | ||
Titolo del periodico: | APPLIED PHYSICS LETTERS | |
Anno di pubblicazione: | 2009 | |
Numero e parte del fascicolo: | no. 22 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-66749144088 | |
Codice identificativo WOS: | WOS:000266674300010 | |
Handle: | http://hdl.handle.net/11572/76903 | |
Appare nelle tipologie: | 03.1 Articolo su rivista (Journal article) |
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