Electrical properties of TiN_x films on p-silicon substrates obtained by reactive ion beam assisted deposition technnique / A., Narsale; Y., Ali; D., Kothari; L., Guzman; Miotello, Antonio. - In: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS. - ISSN 0261-8028. - STAMPA. - 17:8(1998), pp. 637-639.
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Titolo: | Electrical properties of TiN_x films on p-silicon substrates obtained by reactive ion beam assisted deposition technnique | |
Autori: | A., Narsale; Y., Ali; D., Kothari; L., Guzman; Miotello, Antonio | |
Autori Unitn: | ||
Titolo del periodico: | JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS | |
Anno di pubblicazione: | 1998 | |
Numero e parte del fascicolo: | 8 | |
Handle: | http://hdl.handle.net/11572/58792 | |
Appare nelle tipologie: | 03.1 Articolo su rivista (Journal article) |
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