Importance of accurately measuring LDOS maps using scanning tunneling spectroscopy in materials presenting atom-dependent charge order: The case of the correlated Pb/Si(111) single atomic layer / Tresca, C.; Bilgeri, T.; Ménard, G.; Cherkez, V.; Federicci, R.; Longo, D.; Hervé, M.; Debontridder, F.; David, P.; Roditchev, D.; Profeta, G.; Cren, T.; Calandra Buonaura, M.; Brun, C.. - In: PHYSICAL REVIEW. B. - ISSN 2469-9950. - 107:3(2023). [10.1103/PhysRevB.107.035125]

Importance of accurately measuring LDOS maps using scanning tunneling spectroscopy in materials presenting atom-dependent charge order: The case of the correlated Pb/Si(111) single atomic layer

Calandra Buonaura, M.;
2023-01-01

2023
3
Tresca, C.; Bilgeri, T.; Ménard, G.; Cherkez, V.; Federicci, R.; Longo, D.; Hervé, M.; Debontridder, F.; David, P.; Roditchev, D.; Profeta, G.; Cren, ...espandi
Importance of accurately measuring LDOS maps using scanning tunneling spectroscopy in materials presenting atom-dependent charge order: The case of the correlated Pb/Si(111) single atomic layer / Tresca, C.; Bilgeri, T.; Ménard, G.; Cherkez, V.; Federicci, R.; Longo, D.; Hervé, M.; Debontridder, F.; David, P.; Roditchev, D.; Profeta, G.; Cren, T.; Calandra Buonaura, M.; Brun, C.. - In: PHYSICAL REVIEW. B. - ISSN 2469-9950. - 107:3(2023). [10.1103/PhysRevB.107.035125]
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