Gate-Tunable Magnetism and Giant Magnetoresistance in Suspended Rhombohedral-Stacked Few-Layer Graphene / Lee, Y., Che, S., Velasco, J., Gao, X., Shi, Y., Tran, D., Baima, J., Mauri, F., Calandra, M., Bockrath, M., Lau, C.N.. - In: NANO LETTERS. - ISSN 1530-6984. - 2022:(2022). [10.1021/acs.nanolett.2c00466]
Gate-Tunable Magnetism and Giant Magnetoresistance in Suspended Rhombohedral-Stacked Few-Layer Graphene
Calandra, Matteo;
2022-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione



