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Doped semiconductor nanocrystal-based thin films are widely used for many applications, such as screens, electrochromic windows, light emitting diodes, and solar cells. Herein, we have employed spectroscopic ellipsometry to measure and model the complex dielectric response of indium tin oxide films fabricated by nanocrystal deposition and sintering. The films could be modelled as Bruggemann effective media, allowing estimation of the nanoscale interstitial porosity of the structure. The effective dielectric constants show the possibility of tuning the plasma frequency and the epsilon-near zero condition of the film.
Effective medium optical modelling of indium tin oxide nanocrystal films / Sygletou, M.; Marangi, F.; Varas, S.; Chiasera, A.; Canepa, M.; Scotognella, F.; Bisio, F.. - In: PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. - ISSN 1463-9076. - 24:9(2022), pp. 5317-5322. [10.1039/d1cp05897e]
Effective medium optical modelling of indium tin oxide nanocrystal films
Sygletou M.;Marangi F.;Varas S.;Chiasera A.;Canepa M.;Scotognella F.;Bisio F.
2022-01-01
Abstract
Doped semiconductor nanocrystal-based thin films are widely used for many applications, such as screens, electrochromic windows, light emitting diodes, and solar cells. Herein, we have employed spectroscopic ellipsometry to measure and model the complex dielectric response of indium tin oxide films fabricated by nanocrystal deposition and sintering. The films could be modelled as Bruggemann effective media, allowing estimation of the nanoscale interstitial porosity of the structure. The effective dielectric constants show the possibility of tuning the plasma frequency and the epsilon-near zero condition of the film.
Sygletou, M.; Marangi, F.; Varas, S.; Chiasera, A.; Canepa, M.; Scotognella, F.; Bisio, F.
Effective medium optical modelling of indium tin oxide nanocrystal films / Sygletou, M.; Marangi, F.; Varas, S.; Chiasera, A.; Canepa, M.; Scotognella, F.; Bisio, F.. - In: PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. - ISSN 1463-9076. - 24:9(2022), pp. 5317-5322. [10.1039/d1cp05897e]
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11572/344732
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.