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Silicon-rich oxide (SiOx, 0 < x < 2) thin films were deposited using the Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) method at temperature of 570 degrees C using silane (SiH4) and oxygen as the reactant gasses. The films were annealed at temperatures of 800, 900, 1000, and 1100 degrees C to induce the separation of excess silicon in the SiOx films into nanosized crystalline silicon particles inside an amorphous SiOx matrix. The size of the silicon particles was determined using Raman spectroscopy. (doi: 10.5562/cca1969)
Thermal Decomposition of Silicon-rich Oxides Deposited by the LPCVD Method / Ristic, D., Ivanda, M., Furic, K., Chiasera, A., Moser, E., Ferrari, M.. - In: CROATICA CHEMICA ACTA. - ISSN 0011-1643. - 85:1(2012), pp. 91-96. [10.5562/cca1969]
Thermal Decomposition of Silicon-rich Oxides Deposited by the LPCVD Method
Ristic D;Ivanda M;Furic K;Chiasera A;Moser E;Ferrari M
2012-01-01
Abstract
Silicon-rich oxide (SiOx, 0 < x < 2) thin films were deposited using the Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) method at temperature of 570 degrees C using silane (SiH4) and oxygen as the reactant gasses. The films were annealed at temperatures of 800, 900, 1000, and 1100 degrees C to induce the separation of excess silicon in the SiOx films into nanosized crystalline silicon particles inside an amorphous SiOx matrix. The size of the silicon particles was determined using Raman spectroscopy. (doi: 10.5562/cca1969)
Ristic, D; Ivanda, M; Furic, K; Chiasera, A; Moser, E; Ferrari, M
Thermal Decomposition of Silicon-rich Oxides Deposited by the LPCVD Method / Ristic, D., Ivanda, M., Furic, K., Chiasera, A., Moser, E., Ferrari, M.. - In: CROATICA CHEMICA ACTA. - ISSN 0011-1643. - 85:1(2012), pp. 91-96. [10.5562/cca1969]
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
