Role of microstructure and layer thickness in porous silicon conductometric gas sensors / Gaburro, Zeno; C., Oton; M., Ghulinyan; Pancheri, Lucio; Pavesi, Lorenzo; N., Capuj. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. - ISSN 1862-6319. - ELETTRONICO. - 202:8(2005), pp. 1467-1471.
Titolo: | Role of microstructure and layer thickness in porous silicon conductometric gas sensors |
Autori: | Gaburro, Zeno; C., Oton; M., Ghulinyan; Pancheri, Lucio; Pavesi, Lorenzo; N., Capuj |
Autori Unitn: | |
Titolo del periodico: | PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE |
Anno di pubblicazione: | 2005 |
Numero e parte del fascicolo: | 8 |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-25444474712 |
Codice identificativo ISI: | WOS:000230206900027 |
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200461138 |
Handle: | http://hdl.handle.net/11572/29632 |
Appare nelle tipologie: | 03.1 Articolo su rivista (Journal article) |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione