IRIS

A comparison of Si doped (100), (111)A, (111)B and (311)B AlxGa1-xAs samples grown by molecular beam epitaxy

Pavesi, Lorenzo;
1995-01-01
1995
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
2-s2.0-0029229842
Pavesi, Lorenzo; M., Henini; D., Johnston; I., Harrison
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