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EnglishA comparison of Si doped (100), (111)A, (111)B and (311)B Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As samples grown by molecular beam epitaxy / Pavesi, Lorenzo; M., Henini; D., Johnston; I., Harrison. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - STAMPA. - 10(1995), pp. 49-55.
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| Titolo: | A comparison of Si doped (100), (111)A, (111)B and (311)B Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As samples grown by molecular beam epitaxy |
| Autori: | Pavesi, Lorenzo; M., Henini; D., Johnston; I., Harrison |
| Autori Unitn: | |
| Titolo del periodico: | SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY |
| Anno di pubblicazione: | 1995 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0029229842 |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11572/27979 |
| Appare nelle tipologie: | 03.1 Articolo su rivista (Journal article) |
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