Role of the inversion layer on the charge injection in silicon nanocrystal multilayered light emitting devices

Tondini, S.; Pucker, G.; Pavesi, and L.

Role of the inversion layer on the charge injection in silicon nanocrystal multilayered light emitting devices / Tondini, S.; Pucker, G.; Pavesi, and L.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 1089-7550. - STAMPA. - 120:093108(2016).

Role of the inversion layer on the charge injection in silicon nanocrystal multilayered light emitting devices

S. Tondini;G. Pucker;and L. Pavesi

2016-01-01

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Scheda completa (DC)

	Anno di pubblicazione (Date of publication)
	
				2016
			
	Titolo del periodico (Journal title)
	
				JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
			
	Numero e parte del fascicolo (Issue number and part)
	
				093108
			
	Codice Scopus (Scopus identifier)
	
				2-s2.0-84985916216
			
	Codice WOS (WOS identifier)
	
				WOS:000383978100008
			
	Tutti gli autori
	
						Tondini, S.; Pucker, G.; Pavesi, and L.
					
	Citazione
	
				Role of the inversion layer on the charge injection in silicon nanocrystal multilayered light emitting devices / Tondini, S.; Pucker, G.; Pavesi, and L.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 1089-7550. - STAMPA. - 120:093108(2016).
			
	Appare nelle tipologie:
	
				03.1 Articolo su rivista (Journal article)

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