Role of electron and hole transport processes in conductivity and light emission of silicon nanocrystals field-effect transistors

Cattoni, L.; Tengattini, Andrea; Anopchenko, Oleksiy; Manel Ramìrez, J.; Ferrarese Lupi, F.; Berencen, Y.; Garrido, B.; Fedeli, J. M.; Pavesi, Lorenzo

doi:10.1117/12.2003084

CINECA IRIS Institutional Research Information System

IRIS è l'Anagrafe della ricerca dell'Università degli Studi di Trento, e ha lo scopo di raccogliere, documentare, diffondere e conservare le informazioni relative alla produzione scientifica degli autori afferenti all'Università degli Studi di Trento.

Role of electron and hole transport processes in conductivity and light emission of silicon nanocrystals field-effect transistors / L. Cattoni; A. Tengattini; A. Anopchenko; J. Manel Ramìrez; F. Ferrarese Lupi; Y. Berencen; B. Garrido; J-M. Fedeli; L. Pavesi. - 8629(2013). ((Intervento presentato al convegno Silicon Photonics VIII tenutosi a San Francisco, California, USA nel 4–6 February 2013.

Titolo:	Role of electron and hole transport processes in conductivity and light emission of silicon nanocrystals field-effect transistors
Autori Unitn:	L. Cattoni Tengattini, Andrea Anopchenko, Oleksiy J. Manel Ramìrez F. Ferrarese Lupi Y. Berencen B. Garrido J. M. Fedeli Pavesi, Lorenzo mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Anno di pubblicazione:	2013
Handle:	http://hdl.handle.net/11572/98884
ISBN:	9780819493989
Appare nelle tipologie:	04.1 Saggio in atti di convegno (Paper in proceedings)

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11572/98884

Citazioni

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione