Thermal Evolution of Defect Profiles in H-Implanted Silicon Studies by Slow Positrons / Brusa, Roberto Sennen; M., Duarte Naia; A., Dupasquier; G., Ottaviani; R., Tonini; A., Zecca. - STAMPA. - 105-110(1992), p. 1367. ((Intervento presentato al convegno ICPA-9 tenutosi a Szombathely, Hungary nel 1991.
Scheda prodotto non validato
I dati visualizzati non sono stati ancora sottoposti a validazione formale da parte dello Staff di IRIS, ma sono stati ugualmente trasmessi al Sito Docente Cineca (Loginmiur).
Titolo: | Thermal Evolution of Defect Profiles in H-Implanted Silicon Studies by Slow Positrons |
Autori: | Brusa, Roberto Sennen; M., Duarte Naia; A., Dupasquier; G., Ottaviani; R., Tonini; A., Zecca |
Autori Unitn: | |
Titolo del volume contenente il saggio: | positron annihilation ICPA-9 |
Luogo di edizione: | Zurich |
Casa editrice: | Scitec Publications Limited:Trans Tech House, Hardstrasse 13, CH-4714 Aedermannsdorf Switzerland:Fax: 011 41 62 741058 distributed by TRANS TECH PUBLICATIONS LTD, BRANDRAIN 6, ZURICH-UETIKON, SWITZERLAND, CH-8707 |
Anno di pubblicazione: | 1992 |
ISBN: | 9780878496365 |
Handle: | http://hdl.handle.net/11572/92085 |
Appare nelle tipologie: | 04.1 Saggio in atti di convegno (Paper in proceedings) |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione