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EnglishThermal Evolution of Defect Profiles in H-Implanted Silicon Studies by Slow Positrons / Brusa, Roberto Sennen; M., Duarte Naia; A., Dupasquier; G., Ottaviani; R., Tonini; A., Zecca. - STAMPA. - 105-110(1992), p. 1367. ((Intervento presentato al convegno ICPA-9 tenutosi a Szombathely, Hungary nel 1991.
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| Titolo: | Thermal Evolution of Defect Profiles in H-Implanted Silicon Studies by Slow Positrons |
| Autori: | Brusa, Roberto Sennen; M., Duarte Naia; A., Dupasquier; G., Ottaviani; R., Tonini; A., Zecca |
| Autori Unitn: | |
| Titolo del volume contenente il saggio: | positron annihilation ICPA-9 |
| Luogo di edizione: | Zurich |
| Casa editrice: | Scitec Publications Limited:Trans Tech House, Hardstrasse 13, CH-4714 Aedermannsdorf Switzerland:Fax: 011 41 62 741058 distributed by TRANS TECH PUBLICATIONS LTD, BRANDRAIN 6, ZURICH-UETIKON, SWITZERLAND, CH-8707 |
| Anno di pubblicazione: | 1992 |
| ISBN: | 9780878496365 |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11572/92085 |
| Appare nelle tipologie: | 04.1 Saggio in atti di convegno (Paper in proceedings) |
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