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EnglishThermal Evolution of Defects in H-Implanted Silicon Investigated By Slow Positron / Brusa, Roberto Sennen; Zecca, Antonio; Xiang Ti, Meng; G., Ottaviani; R., Tonini. - STAMPA. - 175-178(1995), pp. 141-144. ((Intervento presentato al convegno ICPA 10 tenutosi a Beijing nel May 1994.
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| Titolo: | Thermal Evolution of Defects in H-Implanted Silicon Investigated By Slow Positron |
| Autori: | Brusa, Roberto Sennen; Zecca, Antonio; Xiang Ti, Meng; G., Ottaviani; R., Tonini |
| Autori Unitn: | |
| Titolo del volume contenente il saggio: | Positron Annihilation - ICPA-10 |
| Luogo di edizione: | Zurich |
| Casa editrice: | Scitec Publications Limited:Trans Tech House, Hardstrasse 13, CH-4714 Aedermannsdorf Switzerland:Fax: 011 41 62 741058 distributed by TRANS TECH PUBLICATIONS LTD, BRANDRAIN 6, ZURICH-UETIKON, SWITZERLAND, CH-8707 |
| Anno di pubblicazione: | 1995 |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11572/92081 |
| Appare nelle tipologie: | 04.1 Saggio in atti di convegno (Paper in proceedings) |
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