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EnglishThermal Evolution of Defects in H-Implanted Silicon Investigated By Slow Positron / R.S. Brusa; A.Zecca; Xiang-Ti Meng; G.Ottaviani; R.Tonini. - STAMPA. - 175-178(1995), pp. 141-144. ((Intervento presentato al convegno ICPA 10 tenutosi a Beijing nel May 1994.
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| Titolo: | Thermal Evolution of Defects in H-Implanted Silicon Investigated By Slow Positron |
| Autori Unitn: | |
| Anno di pubblicazione: | 1995 |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11572/92081 |
| Appare nelle tipologie: | 04.1 Saggio in atti di convegno (Paper in proceedings) |
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