A characterization of injection, transport an excitation mechanisms in Si-nc based MOS-LEDs / C., Kompocholis; G., Pucker; P., Bellutti; A., Lui; L., Vanzetti; M., Bersani; M., Anderle; S., Prezioso; Gaburro, Zeno; Pavesi, Lorenzo. - ELETTRONICO. - (2006), pp. 140-142. ((Intervento presentato al convegno 3rd IEEE international conference on Group IV photonics tenutosi a Ottawa nel 13-15 September 2006.
Titolo: | A characterization of injection, transport an excitation mechanisms in Si-nc based MOS-LEDs | |
Autori: | C., Kompocholis; G., Pucker; P., Bellutti; A., Lui; L., Vanzetti; M., Bersani; M., Anderle; S., Prezioso; Gaburro, Zeno; Pavesi, Lorenzo | |
Autori Unitn: | ||
Titolo del volume contenente il saggio: | 3rd IEEE international conference on Group IV photonics | |
Luogo di edizione: | New York | |
Casa editrice: | IEEE | |
Anno di pubblicazione: | 2006 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-78649724568 | |
Codice identificativo WOS: | WOS:000244096100048 | |
Handle: | http://hdl.handle.net/11572/40201 | |
Appare nelle tipologie: | 04.1 Saggio in atti di convegno (Paper in proceedings) |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione