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EnglishA characterization of injection, transport an excitation mechanisms in Si-nc based MOS-LEDs / C., Kompocholis; G., Pucker; P., Bellutti; A., Lui; L., Vanzetti; M., Bersani; M., Anderle; S., Prezioso; Gaburro, Zeno; Pavesi, Lorenzo. - ELETTRONICO. - (2006), pp. 140-142. ((Intervento presentato al convegno 3rd IEEE international conference on Group IV photonics tenutosi a Ottawa nel 13-15 September 2006.
| Titolo: | A characterization of injection, transport an excitation mechanisms in Si-nc based MOS-LEDs | |
| Autori: | C., Kompocholis; G., Pucker; P., Bellutti; A., Lui; L., Vanzetti; M., Bersani; M., Anderle; S., Prezioso; Gaburro, Zeno; Pavesi, Lorenzo | |
| Autori Unitn: | ||
| Titolo del volume contenente il saggio: | 3rd IEEE international conference on Group IV photonics | |
| Luogo di edizione: | New York | |
| Casa editrice: | IEEE | |
| Anno di pubblicazione: | 2006 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-78649724568 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000244096100048 | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11572/40201 | |
| Appare nelle tipologie: | 04.1 Saggio in atti di convegno (Paper in proceedings) |
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http://hdl.handle.net/11572/40201
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