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This paper presents an unique low-temperature chemical vapor deposition process developed at Griffith University that enables the hetero-epitaxial growth of uniform single-crystalline cubic silicon carbide thin-film on very large silicon substrate. This technology, combined with the unique properties of silicon carbide, opens new opportunities for photonic applications on silicon.
Single-crystalline 3C-SiC thin-film on large Si substrate for photonic applications / Massoubre, D.; Wang, L.; Chai, J.; Walker, G.; Hold, L.; Lobino, M.; Dimitriev, S.; Iacopi, A.. - 2:(2014), pp. 416-419. (Intervento presentato al convegno Nanotechnology 2014: MEMS, Fluidics, Bio Systems, Medical, Computational and Photonics - 2014 NSTI Nanotechnology Conference and Expo, NSTI-Nanotech 2014 tenutosi a Washington, DC, usa nel 2014).
Single-crystalline 3C-SiC thin-film on large Si substrate for photonic applications
Massoubre D.;Wang L.;Chai J.;Walker G.;Hold L.;Lobino M.;Dimitriev S.;Iacopi A.
2014-01-01
Abstract
This paper presents an unique low-temperature chemical vapor deposition process developed at Griffith University that enables the hetero-epitaxial growth of uniform single-crystalline cubic silicon carbide thin-film on very large silicon substrate. This technology, combined with the unique properties of silicon carbide, opens new opportunities for photonic applications on silicon.
Massoubre, D.; Wang, L.; Chai, J.; Walker, G.; Hold, L.; Lobino, M.; Dimitriev, S.; Iacopi, A.
Single-crystalline 3C-SiC thin-film on large Si substrate for photonic applications / Massoubre, D.; Wang, L.; Chai, J.; Walker, G.; Hold, L.; Lobino, M.; Dimitriev, S.; Iacopi, A.. - 2:(2014), pp. 416-419. (Intervento presentato al convegno Nanotechnology 2014: MEMS, Fluidics, Bio Systems, Medical, Computational and Photonics - 2014 NSTI Nanotechnology Conference and Expo, NSTI-Nanotech 2014 tenutosi a Washington, DC, usa nel 2014).
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11572/334552
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
