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Status of the L3 silicon microvertex detector
O. Adriani;S. Ahlen;G. Ambrosi;E. Babucci;G. Barbagli;A. Baschirotto;Battiston, Roberto;A. Bay;G. Bencze;P. Bene;B. Bertucci;M. Biasini;G. Bilei;J. G. Boissevain;M. Bosetti;M. L. Brooks;J. Busenitz;W. J. Burger;C. Camps;M. Caria;G. Castellini;R. Castello;B. Checcucci;A. Chen;W. Y. Chen;T. E. Coan;V. Commichau;D. DiBitonto;S. Easo;P. Extermann;E. Fiandrini;A. Gougas;K. Hangarter;C. Hauviller;A. Herve;H. Hofer;J. S. Kapustinski;W. W. Kinnison;H. Kirst;V. R. Krastev;G. Landi;M. Lebeau;P. Lecoq;D. M. Lee;R. Leiste;W. Lin;W. Lohmann;K. Lübelsmeyer;M. MacDermott;A. Marin;F. Masciocchi;G. Matay;G. B. Miller;G. Mills;H. Nowak;G. Passaleva;T. Pennington;T. Paul;M. Pauluzzi;S. Pensotti;E. Perrin;P. G. Rancoita;M. Rattaggi;J. P. Richeux;A. Santocchia;M. Sachwitz;P. Schmitz;B. Schöneich;L. Servoli;R. Siedling;K. Subhani;G. Terzi;T. C. Thompson;F. Tonisch;G. Trowitzsch;G. M. Viertel;H. Vogt;S. Waldmeier;S. Wang;R. Weill;S. C. Yeh;B. Zhou
O., Adriani; S., Ahlen; G., Ambrosi; E., Babucci; G., Barbagli; A., Baschirotto; Battiston, Roberto; A., Bay; G., Bencze; P., Bene; B., Bertucci; M., Biasini; G., Bilei; J. G., Boissevain; M., Bosetti; M. L., Brooks; J., Busenitz; W. J., Burger; C., Camps; M., Caria; G., Castellini; R., Castello; B., Checcucci; A., Chen; W. Y., Chen; T. E., Coan; V., Commichau; D., Dibitonto; S., Easo; P., Extermann; E., Fiandrini; A., Gougas; K., Hangarter; C., Hauviller; A., Herve; H., Hofer; J. S., Kapustinski; W. W., Kinnison; H., Kirst; V. R., Krastev; G., Landi; M., Lebeau; P., Lecoq; D. M., Lee; R., Leiste; W., Lin; W., Lohmann; K., Lübelsmeyer; M., Macdermott; A., Marin; F., Masciocchi; G., Matay; G. B., Miller; G., Mills; H., Nowak; G., Passaleva; T., Pennington; T., Paul; M., Pauluzzi; S., Pensotti; E., Perrin; P. G., Rancoita; M., Rattaggi; J. P., Richeux; A., Santocchia; M., Sachwitz; P., Schmitz; B., Schöneich; L., Servoli; R., Siedling; K., Subhani; G., Terzi; T. C., Thompson; F., Tonisch; G., Trowitzsch; G. M., Viertel; H., Vogt; S., Waldmeier; S., Wang; R., Weill; S. C., Yeh; B., Zhou
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11572/32717
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
