Phenomenology and mechanism of the site occupation selectivity of Si in Al<sub>0.3</sub>Ga<sub>0.7</sub>As grown by MBE on (N11) surfaces

Galbiati, N.; Grilli, E.; Guzzi, M.; Brusaferri, L.; Pavesi, Lorenzo; Henini, M.

Phenomenology and mechanism of the site occupation selectivity of Si in Al_0.3Ga_0.7As grown by MBE on (N11) surfaces

N. Galbiati;E. Grilli;M. Guzzi;L. Brusaferri;Pavesi, Lorenzo;M. Henini

1996-01-01

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	Anno di pubblicazione (Date of publication)
	
				1996
			
	Casa editrice (Publisher)
	
				World Scientific
			
	Tutti gli autori
	
						N., Galbiati; E., Grilli; M., Guzzi; L., Brusaferri; Pavesi, Lorenzo; M., Henini
					
	Appare nelle tipologie:
	
				04.1 Saggio in atti di convegno (Paper in Proceedings)

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Phenomenology and mechanism of the site occupation selectivity of Si in Al0.3Ga0.7As grown by MBE on (N11) surfaces

N. Galbiati;E. Grilli;M. Guzzi;L. Brusaferri;Pavesi, Lorenzo;M. Henini

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