Evolution of Defects Profiles in He-Implanted Silicon studied by Slow Positrons / Brusa, Roberto Sennen; G., Karwasz; N., Tiengo; Zecca, Antonio; F., Corni; C., Nobili; G., Ottaviani; R., Tonini. - 665(1997), pp. 255-257. ((Intervento presentato al convegno 11th Intern.Conf. on Positron Annihilation tenutosi a Kansas City, Missouri, USA nel 25-30 May 1997.
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Titolo: | Evolution of Defects Profiles in He-Implanted Silicon studied by Slow Positrons |
Autori: | Brusa, Roberto Sennen; G., Karwasz; N., Tiengo; Zecca, Antonio; F., Corni; C., Nobili; G., Ottaviani; R., Tonini |
Autori Unitn: | |
Casa editrice: | Abstracts |
Anno di pubblicazione: | 1997 |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-5244340187 |
Handle: | http://hdl.handle.net/11572/29541 |
Appare nelle tipologie: | 04.1 Saggio in atti di convegno (Paper in proceedings) |
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