Bulk radiation damage induced in thin epitaxial silicon detectors by 24 GeV protons / V., Khomenkov; D., Bisello; M., Boscardin; M., Bruzzi; A., Candelori; Dalla Betta, Gian Franco; A., Litovchenko; C., Piemonte; R., Rando; F., Ravotti; N., Zorzi. - ELETTRONICO. - 108/109(2005), pp. 315-320. ((Intervento presentato al convegno 11th International Autumn Meeting Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (GADEST 2005) tenutosi a Giens Peninsula nel 25th-30th September 2005.
Titolo: | Bulk radiation damage induced in thin epitaxial silicon detectors by 24 GeV protons |
Autori: | V., Khomenkov; D., Bisello; M., Boscardin; M., Bruzzi; A., Candelori; Dalla Betta, Gian Franco; A., Litovchenko; C., Piemonte; R., Rando; F., Ravotti; N., Zorzi |
Autori Unitn: | |
Titolo del volume contenente il saggio: | Gettering and defect engineering in semiconductor technology XI: GADEST 2005; proceedings of the 11th international autumn meeting |
Luogo di edizione: | Enfield, NH |
Casa editrice: | Trans Tech Publications Ltd |
Anno di pubblicazione: | 2005 |
ISBN: | 9783908451136 |
Handle: | http://hdl.handle.net/11572/28267 |
Appare nelle tipologie: | 04.1 Saggio in atti di convegno (Paper in proceedings) |
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