IRIS

Role of point defects in the silicon diffusion in GaAs and Al0.3Ga0.7As and in the related superlattice disordering

Pavesi, Lorenzo;
1992-01-01
1992
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
2-s2.0-36449000577
Pavesi, Lorenzo; H. K., Nguyen; J., Ganiþre; F., Reinhart; N., Baba ali; I., Harrison; B., Tuck; M., Henini
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11572/47205
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 62
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact